纯国产闪存量产 性能不输传统大厂 填补市场错位

近日，全国性存储龙头公司兆易创新达成协议，旗下全部都是国产化38nm SPI NAND Flash GD5F全部都是系已通过AEC-Q100车规级认证，这理论上GD5F三部投产已经脚踏。

该三部包括GD5F1GQ5、GD5F2GQ5、GD5F4GQ6三款产品，发电量为1Gb-4Gb，主要运用于汽车教育领域，有效性填补了国产大发电量电子式芯片填补。

值得注意的是，GD5F三部从的设计研发、生产制造到最终元件次测试所有娱乐节目，均选用全国性产品开发完成，比如说，GD5F三部是真正的稀国产闪存。

据悉，GD5F三部SPI NAND Flash芯片使用成熟期的38nm制程工艺，选用WSON8 8mm×6mm少针脚、小型化元件，在狭小空间内实现大发电量的并不需要；其内置ECC无损计算机系统，在移去NAND成本优势的比如说下，极大大大提高产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的窄温度范围内，实现极低10万次的擦写性能。

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